Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Radiation Hardness of Silicon Carbide

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526570

2. High-resistance layers in <i>n</i>-type 4H-silicon carbide by hydrogen ion implantation

   Ravi K. Nadella, M. A. Capano

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.155789

3. Deep level defects in alpha particle irradiated 6H silicon carbide

   George C. Rybicki

   Статья1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.155796

4. Defects in neutron irradiated SiC

   V. Nagesh, J. W. Farmer, R. F. Davis +1

   Статья1987Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526565

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526571

6. Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam

   A. А. Lebedev, A. I. Veı̆nger, D. V. Davydov +3

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesJournal of Applied Physics2000Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2000.article.000005

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526564

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526566

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526567

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526568

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526569

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526572