Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Electrical Study of Fast Neutron Irradiated Devices Based on 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

1. Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy

   T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4

   Статья1997Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.155792

2. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

   E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

   Статья2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534891

3. Effect of irradiation with fast neutrons on electrical characteristics of devices based on CVD 4H-SiC epitaxial layers

   E. V. Kalinina, G. Kholuyanov, D. V. Davydov +5

   Статья2003Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.382031

4. Defects in neutron irradiated SiC

   V. Nagesh, J. W. Farmer, R. F. Davis +1

   Статья1987Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.526565

5. Structural, electrical, and optical properties of low-doped 4H–SiC chemical vapor deposited epitaxial layers

   E. V. Kalinina, G. Kholujanov, A. S. Zubrilov +13

   Статья2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534895

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534892

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534893

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534894

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534896

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534897