Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: The effect of γ-ray radiation on the characteristics of the interface between silicon and lead-borosilicate glass

1. Physics of Semiconductor Devices

   Samarth Jain, S. Radhakrishna

   Статья1987Цитирований: 15

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.215225

2. Surface Charge Studies on Lead Borosilicate Glass Containing Trace Sodium

   Masaru Shimbo, Kazuyoshi Furukawa, K. Tanzawa +1

   Статья1987Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.524817

3. Electronic density of states at the interface between silicon and lead borosilicate glass

   С. И. Власов, П. Б. Парчинский, B. A. Olmatov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568540

4. Oxide thickness dependence of electron-induced surface states in MOS structures

   Tarakanov V.P.

   Статья1975Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.610802

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.610803

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.610804

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.610805