Study of current-voltage characteristics of Si-(Si 2 ) 1-x (GaAs) x grown on polycrystal silicon substrate by Liquid Phase Epitaxy method
А. С. СаидовА. КутлимратовБ. СапаевU. T. DavlatovPhysical-Technical Institute AS RU, Tashkent (Uzbekistan)
2004en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро