Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

1. The Physics of Semi-Conductor Devices

   A. Quaranta

   Статья1979Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.544348

2. Interface states at the SiO2-Si interface

   M. Schulz

   Статья1983Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605266

3. Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance

   ARNOLD T. BERMAN, D. R. Kerr

   Статья1974Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605268

4. Oxide thickness dependence of electron-induced surface states in MOS structures

   Tarakanov V.P.

   Статья1975Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.610802

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658889