Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
Статья

Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

П. Б. ПарчинскийNational University of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan
Russian Microelectronicsjournal2005en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Идентификаторы

Цитирования и источники

Показатели — AkademScholar · Скоро