Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: 4H-SiC High Temperature Spectrometers

1. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

   E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

   Статья2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534891

2. Development of a silicon carbide radiation detector

   F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel +2

   Статья1998Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.604912

3. Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices

   Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, Yu. A. Goldberg +8

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2002Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603414

4. Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

   Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, A. А. Ситникова +6

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2003Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000128

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.611157

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.611158

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.611159