Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: The rate of surface generation of charge carriers at the semiconductor-glass interface

1. The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review

   Jaehyeon Kang, D.K. Schroder

   Обзорная статья1985Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527893

2. The effect of γ-ray radiation on the characteristics of the interface between silicon and lead-borosilicate glass

   П. Б. Парчинский, С. И. Власов, Aslan Nasirov

   СтатьяGlass properties and applicationsSemiconductors2004Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2004.article.000159