Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Effect of the Ge content on the Schottky barrier height in structures based on Si1 − x Ge x solid solution

1. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

2. The physics of semiconductor devices

   H. L. Grubin

   Статья1979Цитирований: 18

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199254

3. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

   A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

   Статья2002Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609957

4. New semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-x Ge x alloy

   М. С. Саидов, Р. А. Муминов, I. G. Atabaev +2

   Статья1996Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609960

5. Surface barrier detectors using aluminum on n- and p-type silicon for α-spectroscopy

   H. Rahab, A. Keffous, H. Menari +3

   Статья2001Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.552666

6. Metal–semiconductor junctions on <i>p</i>-type strained Si1−<i>x</i>Ge<i>x</i> layers

   Omer Nur, M. Willander, Raşit Turan +2

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.552668

7. Sputtered gold as an effective Schottky gate for strained Si∕SiGe nanostructures

   G. D. Scott, M. Xiao, H. W. Jiang +2

   Статья2007Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.552670

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.552673

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667259