← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 17
Работа: Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1 − x Sn x (0 ≤ x ≤ 0.04)
Double-injection currents in semiconductors
É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman
Статья1978Цитирований: 14ABIX-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals
I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3
Статья2010Цитирований: 9ABISurfactant-mediated growth of Si 1-x Sn x layers by molecular-beam epitaxy
M. F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier +1
Статья1999Цитирований: 3ABIThermodynamics and kinetics of diffusion in solids
Б. С. Бокштейн, S. Z. Bokshteĭn, A.A. Zhukhovitskii
Книга1985Цитирований: 2ABIThe Pressure Effect on the Phase Diagrams of the GeSn and SiSn Systems
T. Soma, K. Kamada, H.‐Matsuo Kagaya
Статья1988Цитирований: 2ABI