Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Photoelectric and electrical properties of a reverse-biased p-Si/n-CdS/n +-CdS heterostructure

1. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

2. Physics of Semiconductor Devices

   Simon M. Sze, Kwok K. Ng

   Книга2006Цитирований: 33

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.109944

3. Injection photodiode based on an n-CdS/p-CdTe heterostructure

   Ш. А. Мирсагатов, R. R. Kabulov, M. A. Makhmudov

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2013Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.109943

4. I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x

   A.S. Saidov, A. Yu. Leyderman, Sh. N. Usmonov +1

   СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsSemiconductors2009Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2009.article.000084

5. Injection photodiode based on p-CdTe film

   Ш. А. Мирсагатов, A.K. Uteniyazov

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsTechnical Physics Letters2012Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.215221

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.385725