Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Spectral Photosensitivity and Temperature-Independent Volt–Ampere Characteristic of pSi–n(ZnSe)1 –x–y(Si2)x(GaP)y Structures

  1. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25
    ABI

  2. Max Hansen and Kurt Anderko: Constitution of Binary Alloys. McGraw-Hill Book Co., New York, 1958, 1305頁, 23×16cm, \13.000.

    秀世 間庭

    Статья1958Цитирований: 7
    ABI

  3. Classification of impurity voltaic effects in semiconductors and impurity voltaics

    М. С. Саидов

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy2008Цитирований: 6
    ABI

  4. On the theory of double injection in semiconductors with continuous distribution of trapping levels within the Gap

    A. Yu. Leĭderman

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1979Цитирований: 3
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  6. Si-film growth using liquid phase epitaxy method and its application to thin-film crystalline Si solar cell

    Shoji Nishida, Katsumi Nakagawa, Masaaki Iwane +4

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI