Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Peculiarities of the Current–Voltage Characteristic of n-GaP–p-(InSb)1 – x(Sn2)x Heterostructures

1. Growth of (InSb)1 − x (Sn2) x films on GaAs substrates by liquid-phase epitaxy

   А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2010Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.262319

2. Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1 − x Sn x (0 ≤ x ≤ 0.04)

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, M. U. Kalanov +2

   СтатьяAdvanced Surface Polishing TechniquesPhysics of the Solid State2013Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000105

3. Effect of injection depletion in p-n heterostructures based on solid solutions (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y , (Si2)1 − x (CdS) x , (InSb)1 − x (Sn2) x , and CdTe1 − x S x

   Sh. N. Usmonov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman

   СтатьяNear-Field Optical MicroscopyPhysics of the Solid State2014Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000178

4. Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure

   А. С. Саидов, A. Yu. Leyderman, Sh. N. Usmonov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2018Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.467166

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.540063

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.540064