← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 21
Работа: Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge<sub>2</sub>)y(ZnSe)z and their photoelectric properties
Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution
М. В. Шевчук, Victor V. Atuchin∥⊥, A.V. Kityk +5
Статья2010Цитирований: 2ABITellurium and sulfur doped GaSe for mid-IR applications
Zhijun Kang, Jingwei Guo, Z.-S. Feng +7
Статья2012Цитирований: 2ABILow Leakage-Current InAsSb Nanowire Photodetectors on Silicon
Michael D. Thompson, Aiyeshah Alhodaib, Adam P. Craig +7
Статья2015Цитирований: 2ABIInsights into the sputter-instigated valence plasmon oscillations in CIGSe thin films
Vivek Garg, Brajendra S. Sengar, Gaurav Siddharth +3
Статья2021Цитирований: 2ABI