Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 21

Работа: Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge<sub>2</sub>)y(ZnSe)z and their photoelectric properties

  1. Dilute nonisovalent (II-VI)-(III-V) semiconductor alloys: Monodoping, codoping, and cluster doping in ZnSe-GaAs

    L. G. Wang, Alex Zunger

    Статья2003Цитирований: 7
    ABI
  2. Epitaxial growth of ZnSe on GaAs with the use of the ZnSe compound as the source

    Sergey P. Suprun, V. N. Sherstyakova, E. V. Fedosenko

    Статья2009Цитирований: 4
    ABI
  3. Engineering Crystal Properties through Solid Solutions

    Matteo Lusi

    Статья2018Цитирований: 3
    ABI
  4. Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution

    М. В. Шевчук, Victor V. Atuchin∥⊥, A.V. Kityk +5

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI
  5. Tellurium and sulfur doped GaSe for mid-IR applications

    Zhijun Kang, Jingwei Guo, Z.-S. Feng +7

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI
  6. Low Leakage-Current InAsSb Nanowire Photodetectors on Silicon

    Michael D. Thompson, Aiyeshah Alhodaib, Adam P. Craig +7

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI
  7. Insights into the sputter-instigated valence plasmon oscillations in CIGSe thin films

    Vivek Garg, Brajendra S. Sengar, Gaurav Siddharth +3

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI
  8. Solid-solution (alloying) strategies in crystalline molecular conductors

    Marc Fourmigué

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI