Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 23

Работа: Anisotropy of Carrier Transport Processes in GaMnAs Grown via Low Temperature Molecular Beam Epitaxy

  1. Spin disorder scattering mechanism of ferromagnetic Ga1−xMnxAs layers on (100) GaAs substrates

    Im Taek Yoon, Tae Won Kang, K. H. Kim +1

    Статья2004Цитирований: 7
    ABI

  2. Hole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors

    T. Dietl, Hideo Ohno, F. Matsukura

    Статья2001Цитирований: 6
    ABI

  3. Anisotropy of Negative Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers

    A. S. Gazizulina, Aslan Nasirov, A. A. Nebesniy +2

    СтатьяZnO doping and propertiesSemiconductors2021Цитирований: 3
    ABI

  4. The Physics of Semiconductors

    E. Anastassakis, John D. Joannopoulos

    Препринт1990Цитирований: 3
    ABI

  5. Magnetic anisotropy investigations of (Ga,Mn)As with a large epitaxial strain

    Piotr Juszyński, Marta Gryglas-Borysiewicz, Jacek Szczytko +4

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  6. Uniaxial in-plane magnetic anisotropy of Ga1−xMnxAs

    U. Welp, V. K. Vlasko‐Vlasov, Andreas Menzel +4

    Статья2004Цитирований: 3
    ABI

  7. Hall effect and hole densities in Ga1−xMnxAs

    K. W. Edmonds, K. Y. Wang, R. P. Campion +4

    Статья2002Цитирований: 3
    ABI

  8. Magnetotransport study of temperature dependent magnetic anisotropy in a (Ga,Mn)As epilayer

    Kohei Hamaya, Tomoyasu Taniyama, Y. Kitamoto +2

    Статья2003Цитирований: 3
    ABI

  9. Magnetotransport properties of<i>p</i>-type (In,Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors

    Hideo Ohno, H. Munekata, T. Penney +2

    Статья1992Цитирований: 3
    ABI

  10. Magnetic Domain Structure and Magnetic Anisotropy in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">G</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">a</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">M</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">A</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">s</mml:mi></mml:math>

    U. Welp, V. K. Vlasko-Vlasov, X. Liu +2

    Статья2003Цитирований: 2
    ABI

  11. Anisotropic magnetoresistance and magnetic anisotropy in high-quality (Ga,Mn)As films

    Kai Wang, K. W. Edmonds, R. P. Campion +3

    Статья2005Цитирований: 2
    ABI

  12. Structure, ferromagnetism and magnetotransport of epitaxial (Ga,Mn)As/GaAs structures

    Karl Brünner, C. Gould, G. Schmidt +1

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  13. Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in a p<sup>+</sup>‐(Ga,Mn)As/n<sup>+</sup>‐GaAs Esaki diode

    M. Ciorga, A. Einwanger, J. Sadowski +2

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  14. Tunneling magnetoresistance in GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferromagnetic semiconductor heterostructures

    Masaaki Tanaka, Y. Higo

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  15. Temperature-induced transition of magnetic anisotropy between in-plane and out-of-plane directions in GaMnAs film

    Sangyeop Lee, Sangyeop Lee, Seonghoon Choi +7

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI

  16. Solid State Physics

    J. S. Blakemore

    Книга1985Цитирований: 2
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI