Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 18

Работа: Morphology, Composition, and Electronic Structure of the Surface of Thin CdS Films Grown on a Mo(III) Surface

1. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, D. M. Muradkabilov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2013Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.253376

2. Investigation of change of the composition and structure of the CaF2/Si films surface at the low-energy bombardment

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева +2

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms2014Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.391453

3. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures

   J. Janabergenov, Ш. А. Мирсагатов, Smagul Karazhanov

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesInorganic Materials2005Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200869

4. Adsorption of Ba Atoms Influences the Composition, Emission, and Optical Properties of CdS Single Crystals

   Б. Е. Умирзаков, J. Sh. Sodiljanov, Д. А. Ташмухамедова +2

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesTechnical Physics Letters2021Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.001383

5. Electrospun Semiconductor‐Based Nano‐Heterostructures for Photocatalytic Energy Conversion and Environmental Remediation: Opportunities and Challenges

   Na Lu, Mingyi Zhang, Xuedong Jing +3

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716285

6. Fabrication of Cd–Ba–S Nanoscale Structures on the Surface and in the Near-Surface Region of CdS Films by Implantation with Ba+ Ions

   J. Sh. Sodikjanov, Б. Е. Умирзаков

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.002814

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716273

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716274

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716275

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716276

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716277

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716278

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716279

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716280

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716281

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716282

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716283

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716284