Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 22

Работа: The influence of implantation of Mg+ ions and subsequent annealing on the composition, electronic structures, emission and optical properties of CdF2

1. Formation of n-type CoSi monosilicide film which can be used in instrumentation

   I. R. Bekpulatov, Gunel Imanova, T. S. Kamilov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInternational Journal of Modern Physics B2022Цитирований: 22

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000132

2. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, D. M. Muradkabilov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2013Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.253376

3. Composition of uncontrolled impurities and their chemical states and depth profiles at the Al-Si interface

   А.А. Абдувайитов, Kh. Kh. Boltaev

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2015Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2015.article.000235

4. Dependence of static strength of large single crystals of synthetic diamond type and Ib octahedral habit after heat treatment on their size

   M. A. Tsysar’, С. А. Ивахненко, А. P. Zakora +3

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.401177

5. The scientific process of two interferometers (optical) development and the mitigation of external influence

   Vitaliy Panov

   Статья2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.715860

6. Development and studies of Cd1−xMgxTe thin films with varying band gaps to understand the Mg incorporation and the related material properties

   Roger Castillo, Omar Sarracino Martínez, Joel Pantoja +4

   Статья2016Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718040

7. CdMgTe as an Electron Reflector for MgZnO/CdSeTe/CdTe Solar Cells

   Alexandra Bothwell, Jennifer Drayton, Pascal Jundt +1

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718042

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718028

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718029

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718030

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718031

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718032

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718033

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718034

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718035

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718036

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718037

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718038

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718039

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718041

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718043

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.718044