Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Structural Features of Silicon with Tin Impurity

  1. Structural Properties of Silicon Doped Rare Earth Elements Ytterbium

    Khodjakbar S. Daliev, Sharifa B. Utamuradova, Jonibek J. Khamdamov +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceEast European Journal of Physics2024Цитирований: 11
    ABI

  2. Investigation of the Magnetic Properties of Silicon Doped with Rare-Earth Elements

    Khodjakbar S. Daliev, Zavkiddin E. Bahronkulov, Jonibek J. Hamdamov

    СтатьяMagnetic Field Sensors TechniquesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 8
    ABI

  3. Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures

    Sharifa B. Utamuradova, Z. T. Azamatov, Murodjon A. Yuldoshev

    СтатьяPhotorefractive and Nonlinear OpticsRussian Microelectronics2023Цитирований: 5
    ABI

  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 5
    ABI

  5. Electrophysical properties of silicon doped with lutetium

    Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova

    Статья2024Цитирований: 4
    ABI

  6. The Influence of the Impurities with Deep Levels on the Iron Behavior in Silicon

    С. З. Зайнабидинов, Kh.S. Daliev, K. P. Abdurakhmanov +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesModern Physics Letters B1997Цитирований: 4
    ABI

  7. DFT Studies on Electronic, Elastic, Thermoelectric and Optical Properties of New Half-Heusler XRhZ (X = V, Nb and Z = Si, Ge) Semiconductors

    Bendehiba Sid Ahmed, Besbes Anissa, Djelti Radouan +3

    Статья2024Цитирований: 3
    ABI

  8. Preparation of N-Si-P-GaSe Heterojunctions Based on an Amorphous GaSe Layer Without Impurities and Study of Their Electrical Properties

    R. S. Madatov, A. S. Alekperov, F.N. Nurmammadova +2

    Статья2024Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  10. Properties of Single Crystal Silicon Doped with Vanadium

    Kh.S. Daliev, Zafarjon M. Khusanov

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsEast European Journal of Physics2024Цитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Influence of Doping Conditions on the Properties of Nickel Atom Clusters

    Kanatbay A. Ismailov, Zlikha M. Saparniyazova, Gulchekhra T. Kudeshova +2

    СтатьяMaterial Properties and ApplicationsEast European Journal of Physics2024Цитирований: 1
    ABI