Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Formation of Binary Compounds of Impurity Atoms of Sulfur and Zinc in Silicon

  1. Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics

    М. К. Бахадырханов, A. Sh. Mavlyanov, U. Kh. Sodikov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2015Цитирований: 13
    ABI

  2. Nanometer-size atomic clusters in semiconductors—a new approach to tailoring material properties

    M. G. Mil’vidskiĭ, V. V. Chaldyshev

    Статья1998Цитирований: 13
    ABI

  3. Interaction between multiply charged manganese nanoclusters and sulfur atoms in silicon

    Z.M. Saparniyazova, М. К. Бахадырханов, О. Э. Саттаров +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2012Цитирований: 5
    ABI

  4. Nonisovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic, and mixed phases

    Joongoo Kang, Ji‐Sang Park, Pauls Stradins +1

    Статья2017Цитирований: 5
    ABI

  5. Silicon with an increased content of monoatomic sulfur centers: Sample fabrication and optical spectroscopy

    Yu. A. Astrov, Stephen A. Lynch, V. B. Shuman +3

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI

  6. Redistribution of deep selenium and sulfur impurities in silicon upon surface doping with phosphorus

    Yu. A. Astrov, В. А. Козлов, А. N. Lodygin +4

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  8. Elaboration of physical fundamentals of nanosized structures on the basis of S++Mn−− and Se++Mn−− molecule formation in silicon lattice

    М. К. Бахадырханов, U. X. Sodikov, Н. Ф. Зикриллаев +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2007Цитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI