← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 37
Работа: Study of radiation-induced effects in GaAs(O):Cr under 2 Mev electron irradiation using Raman, FTIR and Hall effect measurements
Structural Features and Photoelectric Properties of Si-Doped GaAs under Gamma Irradiation
Ye Shen, Xuan Fang, Xiang Ding +6
Статья2020Цитирований: 4ABIOxidation of GaAs(110) with<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">NO</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>: Infrared spectroscopy
A. vom Felde, Klaus Kern, G. S. Higashi +4
Статья1990Цитирований: 3ABIStructural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium
П. В. Середин, A. V. Fedyukin, I. N. Arsentyev +5
Статья2016Цитирований: 3ABIA comparative study of the structural and optical properties of Si-doped GaAs under different ion irradiation
Jingxuan He, Ye Shen, Bo Li +6
Статья2020Цитирований: 3ABIPhonons in a one-dimensional microfluidic crystal
Tsevi Beatus, Tsvi Tlusty, Roy Bar‐Ziv
Статья2006Цитирований: 2ABI