Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Radiation-Stimulated Transformation of Cxygen Atoms Between Impurity Phase States of A Growing Silicon Single Crystal

  1. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon

    B. E. Deal, Andrew S. Grove

    Статья1965Цитирований: 3
    ABI
  2. Method to Measure the Precipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon

    L. Jastrzȩbski, P. J. Zanzucchi, D. Thébault +1

    Статья1982Цитирований: 3
    ABI
  3. Oxygen Segregation and Microscopic Inhomogeneity in Czochralski Silicon

    Wen Lin, Michael Stavola

    Статья1985Цитирований: 3
    ABI
  4. Test Method for Interstitial Atomic Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption with Short Baseline

    F01 Committee

    Другое2000Цитирований: 3
    ABI
  5. Czochralski growth of silicon

    W. Zulehner

    Статья1983Цитирований: 2
    ABI
  6. Oxygen precipitation and microdefects in Czochralski-grown silicon crystals

    Kiyoshi Yasutake, M. Umeno, H. Kawabe

    Статья1984Цитирований: 2
    ABI
  7. Stress in The SiO2/Si Structures Formed by Thermal Oxidation

    A. Szekeres

    Глава1998Цитирований: 2
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI