Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Electron microscopy characterization of higher manganese silicide film structure on silicon

  1. Magnetic properties of single crystalline Mn4Si7

    U. Gottlieb, A. Sulpice, B. Lambert‐Andron +1

    Статья2003Цитирований: 5
    ABI
  2. Electron microscopic investigation of MnSi1.7 layers on Si(001)

    Anna Mogilatenko, M. Falke, S. Teichert +3

    Статья2002Цитирований: 4
    ABI
  3. Precipitates of MnSi cubic phase in tetragonal Mn4Si7 crystal

    Elena I. Suvorova, V. V. Klechkovskaya

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI
  4. Growth of MnSi1.7 on Si(001) by MBE

    S. Teichert, S Schwendler, D.K. Sarkar +5

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI
  5. Crystal structure of the films of highest manganese silicide on silicon

    V. V. Klechkovskaya, T. S. Kamilov, S. I. Adasheva +2

    Статья1994Цитирований: 3
    ABI
  6. Keimbildung in übersättigten Gebilden

    Marcel Volmer, Adam Weber

    Статья1926Цитирований: 2
    ABI
  7. Physicochemical interaction at the MnSi1.71–1.75/Mo interface

    Л. И. Петрова, M. I. Fedorov, V. K. Zaĭtsev +1

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI
  8. Thin-film condensation processes

    С. А. Кукушкін, А. В. Осипов

    Статья1998Цитирований: 2
    ABI
  9. Die Kristallstruktur von Mn11Si19 und deren Zusammenhang mit Disilicid-Typen

    O. Schwomma, A. Preisinger, H. Nowotny +1

    Статья1964Цитирований: 2
    ABI
  10. Investigation of the defect manganese silicide MnnSi2n−m

    Lionel M. Levinson

    Статья1973Цитирований: 2
    ABI
  11. THE GROWTH OF <font>MnSi</font><sub>1.73</sub> PREPARED BY SPARK PLASMA SINTERING

    Zhimin Wang, Yidong Wu, Yuanjin He

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI