Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Investigation of current-voltage characteristics of the n-CdS-p-CdTe structure with an extended layer of the intermediate solid solution

1. Current Injection in Solids

   A. M. Stoneham

   Статья1970Цитирований: 27

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.262325

2. Fundamentals of Solar Cells (Photovoltaic Solar Energy Conversion)

   Alan L. Fahrenbruch, Richard H. Bube, R.V. D'Aiello

   Статья1984Цитирований: 23

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.201325

3. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

   W. Shockley, W. T. Read

   Статья1952Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357503

4. Current injection in solids

   Murray A. Lampert, Peter Mark

   Книга1970Цитирований: 16

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.353604

5. Double-injection currents in semiconductors

   É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman

   Статья1978Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.378332

6. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures

   J. Janabergenov, Ш. А. Мирсагатов, Smagul Karazhanov

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesInorganic Materials2005Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200869

7. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterojunctions

   S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, J. Janabergenov

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2007Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200867

8. Semiconductors and Semimetals

   Глава1977Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357510

9. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution

   Kh. Kh. Ismoilov, A. M. Abdugafurov, Ш. А. Мирсагатов +1

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2008Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200865

10. Statistics of Inter‐Impurity Recombination of Electrons and Holes in Semiconductors

    P. M. Karageorgy‐Alkalaev, A. Yu. Leĭderman

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (b)1968Цитирований: 5

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.531304

11. The use of P-L-N structures in investigations of transient recombination from high injection levels in semiconductors

    L. W. Davies

    Статья1963Цитирований: 3

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357501

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.566905