Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors

1. Determination of the density of surface states at the semiconductor-insulator interface in a metal-insulator-semiconductor structure

   G. Gulyamov, N. Yu. Sharibaev

   СтатьяSurface and Thin Film PhenomenaSemiconductors2011Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.218240

2. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

   М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2021Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.000422