Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 52

Работа: Energy Levels in Nanowires and Nanorods with a Finite Potential Well

  1. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys

    I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram‐Mohan

    Статья2001Цитирований: 21
    ABI

  2. Electron Energy in Rectangular and Cylindrical Quantum Wires

    G. Gulyamov, A. G. Gulyamov, A. B. Davlatov +1

    Статья2020Цитирований: 11
    ABI

  3. Concentration Dependences of the Electron Effective Mass, Fermi Energy, and Filling of Subbands in Doped InAs/AlSb Quantum Wells

    P. J. Baymatov, B. T. Abdulazizov

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesUkrainian Journal of Physics2017Цитирований: 10
    ABI

  4. Handbook of Mathematical Functions with Formulas, Graphs, and Mathematical Tables

    J. W. W., Milton Abramowitz, Irene A. Stegun

    Статья1965Цитирований: 10
    ABI

  5. Influence of Pressure on the Temperature Dependence of Quantum Oscillation Phenomena in Semiconductors

    G. Gulyamov, У. И. Эркабоев, A. G. Gulyamov

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 6
    ABI

  6. Transverse laser dressing effects on the subband density of states in a 20-nm-wide GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well wire

    A. Radu

    Статья2012Цитирований: 5
    ABI

  7. Effect of a terahertz laser field on the electron-DOS in a GaAs/AlGaAs cylindrical quantum wire: finite well model

    F. M. S. Lima, O. A. C. Nunes, A. L. A. Fonseca +2

    Статья2008Цитирований: 5
    ABI

  8. Controlled growth of highly uniform, axial/radial direction-defined, individually addressable InP nanowire arrays

    Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

    Статья2005Цитирований: 4
    ABI

  9. Band structure of indium antimonide

    E. O. Kane

    Статья1957Цитирований: 4
    ABI

  10. Nonparabolicity effects in a quantum well: Sublevel shift, parallel mass, and Landau levels

    U. Ekenberg

    Статья1989Цитирований: 4
    ABI

  11. Phonon effects on interband optical transitions in InAs 0.8 P 0.2 /InP quantum wire

    S. Saravanan, A. John Peter, Chang Woo Lee

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  12. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures

    M. Jaroš

    Статья1991Цитирований: 3
    ABI

  13. Effects of nonparabolic bands in quantum wires

    A. Godoy, Zhi-Cheng Yang, Umberto Ravaioli +1

    Статья2005Цитирований: 3
    ABI

  14. An Emphasis of Electron Energy Calculation in Quantum Wells

    Gao Shao-Wen, Cao Jun-Cheng, Songlin Feng

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  15. The electronic properties of a coaxial square GaAs/Al Ga1−As quantum well wire in an electric field

    Ş. Aktaş, F.K. Boz, A. Bilekkaya +1

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  16. Numerical simulation of coupling effect on electronic states in quantum wires

    A. Bouazra, S. Abdi-Ben Nasrallah, A. Poncet +2

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  17. Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates

    Junichi Motohisa, J. Noborisaka, Junichiro Takeda +2

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  18. Material parameters of In1−<i>x</i>Ga<i>x</i>As<i>y</i>P1−<i>y</i> and related binaries

    Sadao Adachi

    Статья1982Цитирований: 2
    ABI

  19. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP∕InAs core-shell nanowires

    Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  20. Electron states in rectangular quantum well wires (single wires, finite and infinite lattices)

    E. P. Pokatilov, V. A. Fonoberov, S. N. Balaban +1

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI