Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: The Physics of Semiconductors

1. Peculiarities of the electron structure of nanosized ion-implanted layers in silicon

   А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.095294

2. Investigations of the Deep-Level Parameters in Semiconductors

   I. G. Tursunov

   СтатьяElectromagnetic Effects on MaterialsUkrainian Journal of Physics2017Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.345489

3. Tensostimulated Effect in a Doped and Heat-Treated Silicon at an Oriented Deformation

   О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

   СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesPhysics of the Solid State2021Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.000552