Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: The effect of a heated electron on the VAX of a tunnel diode

1. On the tensosensitivity of a p-n junction under illumination

   G. Gulyamov, A. G. Gulyamov

   СтатьяOptical Polarization and EllipsometrySemiconductors2015Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410276

2. 431 kA/cm2 peak tunneling current density in GaN/AlN resonant tunneling diodes

   Tyler A. Growden, Weidong Zhang, E. R. Brown +5

   Статья2018Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410277

3. 151  kA/cm 2 peak current densities in Si/SiGe resonant interband tunneling diodes for high-power mixed-signal applications

   Niu Jin, Sung-Yong Chung, Anthony T. Rice +4

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410268

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410274

5. 930 kA/cm2 peak tunneling current density in GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on MOCVD GaN-on-sapphire template

   Tyler A. Growden, Evan M. Cornuelle, David F. Storm +7

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410279