Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Tailoring Heterovalent Interface Formation with Light

1. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

   С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000285

2. Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase

   A. Sh. Razzokov, А. С. Саидов, B. Allabergenov +3

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Crystal Growth2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002347