Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Cation variations at semiconductor interfaces: ZnSe(001)/GaAs(001) superlattices

1. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)_1−<i>x</i>(ZnSe)_<i>x</i> with Nanocrystals

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering2019Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.373302

2. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

   С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000285

3. Growing the solid solution of molekular substitution (GaAs)_1-z(ZnSe)_z

   А. С. Саидов, D. V. Saparov, Shukrullo Usmonov +2

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsIOP Conference Series Materials Science and Engineering2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.001987