← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 17
Работа: Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC
Investigation of boron diffusion in 6H-SiC
Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan
Статья2003Цитирований: 5ABIDiffusion of boron in silicon carbide
K. Rüschenschmidt, H. Bracht, Michael Laube +2
Статья2001Цитирований: 3ABIElectron paramagnetic resonance of deep boron acceptors in 4H-SiC and 3C-SiC crystals
P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov
Статья1998Цитирований: 2ABI