Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC

  1. Investigation of boron diffusion in 6H-SiC

    Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan

    Статья2003Цитирований: 5
    ABI
  2. Oxidation kinetics of hot-pressed silicon carbide

    Subhash C. Singhal

    Статья1976Цитирований: 4
    ABI
  3. Diffusion of boron in silicon carbide

    K. Rüschenschmidt, H. Bracht, Michael Laube +2

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI
  4. Vacancy defects in silicon carbide

    O. Girka, E. N. Mokhov

    Статья1995Цитирований: 3
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI
  6. Electron paramagnetic resonance of deep boron acceptors in 4H-SiC and 3C-SiC crystals

    P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov

    Статья1998Цитирований: 2
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI