Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Selective doping of 4H–SiC by codiffusion of aluminum and boron

1. Oxide film assisted dopant diffusion in silicon carbide

   Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Kerlit Chew +6

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesThin Solid Films2010Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390738

2. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

   I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390748