Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Investigation of p-3C-SiC/n+-6H-SiC Heterojunctions with Low Doped p-3C-SiC Region

   A. А. Lebedev, Anatoly M. Strel’chuk, N.S. Savkina +4

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000117