Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Anomalous Behavior of Lateral C–V Characteristic of an MNOS Transistor with an Embedded Local Charge in the Nitride Layer

  1. Charge storage in a nitride-oxide-silicon medium by scanning capacitance microscopy

    R. C. Barrett, C. F. Quate

    Статья1991Цитирований: 5
    ABI

  2. Detection of a charge built in the oxide layer of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by lateral C-V measurement

    A. É. Atamuratov, D. U. Matrasulov, P. K. Khabibullaev

    СтатьяSemiconductor materials and devicesDoklady Physics2007Цитирований: 4
    ABI

  3. Hi-MNOS II technology for a 64-kbit byte-erasable 5-V-only EEPROM

    Y. Yatsuda, Shinji Nabetani, Ken Uchida +5

    Статья1985Цитирований: 3
    ABI

  4. A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability

    Ben Kaczer, J. Franco, Pieter Weckx +11

    Статья2018Цитирований: 3
    ABI

  5. Read/write mechanisms and data storage system using atomic force microscopy and MEMS technology

    Hyunjung Shin, Seungbum Hong, Jooho Moon +1

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  6. Electrostatic force microscopy: principles and some applications to semiconductors

    Paul Girard

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI