Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance

1. Electronic density of states at the interface between silicon and lead borosilicate glass

   С. И. Власов, П. Б. Парчинский, B. A. Olmatov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568540

2. Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

   П. Б. Парчинский

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRussian Microelectronics2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000246