Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Energy levels and heat generation of electron-hole pairs in Ge, GaSb, and InAs doped by some compounds of the II–V and II–VI types

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1117

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.000713

2. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

3. Impurity thermovoltaic effect of semiconductor structures: Specific features and outlook

   М. С. Саидов

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2007Цитирований: 12

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390422

4. Classification of impurity voltaic effects in semiconductors and impurity voltaics

   М. С. Саидов

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy2008Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000166

5. Impurity voltaic effects and thermophotovoltaics

   М. С. Саидов

   СтатьяThermal Radiation and Cooling TechnologiesApplied Solar Energy2008Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000168

6. Possibility of forming continuous solid solutions of silicon and germanium with compounds with defective diamond-like structures

   М. С. Саидов

   СтатьяIon-surface interactions and analysisApplied Solar Energy2008Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625503

7. Impurity thermovoltaic solar elements. Possible characteristics and alloying

   М. С. Саидов

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsApplied Solar Energy2009Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625504