Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Current-voltage characteristics of Si/Si1 − x Ge x heterodiodes fabricated by direct bonding

   I. V. Grekhov, E. I. Belyakova, L. S. Kostina +7

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2008Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000211