Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Preparation of Ge/Si and Ge∕GaAs Heterojunctions

1. Growth and photoelectric properties of graded-gap Si-(Si2)1−x(GaP)x heterostructures

   Б. Сапаев, А. С. Саидов, S. Dadamukhamedov

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesTechnical Physics2004Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386215

2. (IV2)1−x(III-V)x solid solutions obtained from a bounded tin melt-solution

   Б. Сапаев, М. С. Саидов, А. С. Саидов +1

   СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsSemiconductors2004Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.628595