Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Effect of surface chemical treatments on Ti-p-Si1 − x Gex and Ni-p-Si1 − x Ge x contact properties

   I. G. Atabaev, M. U. Hajiev, N. A. Matchanov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2010Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2010.article.000362