Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Сервисы

← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Growth of Solid Solutions (Ge2)1−x−y(GaAs1−δBiδ)x(ZnSe)y on Silicon Sub-strates by Liquid Phase Epitaxy

  1. The The Gas-Sensitive Properties of Tin Dioxide Films

    Nuritdin Y. Yunusaliyev

    СтатьяGas Sensing Nanomaterials and SensorsEast European Journal of Physics2024Цитирований: 4
    ABI

  2. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

    С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 3
    ABI

  3. Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure

    S.Z. Zaynabidinov, А. С. Саидов, Akramjon Y. Boboev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesHerald of the Bauman Moscow State Technical University Series Natural Sciences2022Цитирований: 3
    ABI

  4. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, М. А. Putyato +5

    Статья2019Цитирований: 3
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI