Some peculiarities of current-voltage characteristics of nCdS-pCdTe-heterostructures with intermediate layer of d ≅ 1 μ m
S. A. MuzafarovaШ. А. МирсагатовA. Yu. LeĭdermanB. U. AĭtbaevM. A. MakhmudovAS RU, Physical-Technical Institute, Tashkent (Uzbekistan)
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба