Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

25 та иш

Иш: Effect of Diatomic Silicon Molecular Impurities on the Luminescent Properties of Semiconductor Solid Solutions

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Китоб200258 иқтибос
    ABI

  2. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Мақола197918 иқтибос
    ABI

  3. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)<sub>1−<i>x</i></sub>(ZnSe)<sub><i>x</i></sub> with Nanocrystals

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

    МақолаQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering20198 иқтибос
    ABI

  4. Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova

    МақолаPhotonic and Optical DevicesSemiconductors20124 иқтибос
    ABI

  5. ZnS nanostructures: From synthesis to applications

    Xiaosheng Fang, Tianyou Zhai, Ujjal K. Gautam +4

    Мақола20103 иқтибос
    ABI

  6. GaP-nucleation on exact Si (001) substrates for III/V device integration

    Kerstin Volz, Andreas Beyer, Wiebke Witte +4

    Мақола20102 иқтибос
    ABI

  7. Influence of GaAs molecules on the photosensitivity of pSi–n(GaSb)1–x (Si2) x and nGaAs–p(InSb)1–x (Sn2) x heterostructures

    Sh. N. Usmonov

    МақолаSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy20162 иқтибос
    ABI

  8. Electron energies and states at the deep impurity level in a semiconductor

    A. G. Mironov, Alexander S. Serov

    Мақола20112 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  17. Photothermovoltaic effect in a pSi-n(Si2)1 − x − y (ZnSe) x (GaP) y (0 ≤ x ≤ 0.88, 0 ≤ y ≤ 0.09) structure

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

    МақолаSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy20131 иқтибос
    ABI

  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  21. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  22. Expansion of the spectral sensitivity range of the silicon photocells by growing a solid (Si2)1–x (GaP) x (0 ≤ x ≤ 1) solution

    D. V. Saparov, М. С. Саидов, А. С. Саидов

    МақолаSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy20161 иқтибос
    ABI

  23. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  24. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  25. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI