Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

17 та иш

Иш: Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC

  1. Investigation of boron diffusion in 6H-SiC

    Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan

    Мақола20035 иқтибос
    ABI

  2. Oxide film assisted dopant diffusion in silicon carbide

    Chin‐Che Tin, Suwan Mendis, Kerlit Chew +6

    МақолаSilicon and Solar Cell TechnologiesThin Solid Films20105 иқтибос
    ABI

  3. Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures

    Iikham G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, É. N. Bakhranov +6

    МақолаSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications20105 иқтибос
    ABI

  4. Oxidation kinetics of hot-pressed silicon carbide

    Subhash C. Singhal

    Мақола19764 иқтибос
    ABI

  5. Diffusion of boron in silicon carbide

    K. Rüschenschmidt, H. Bracht, Michael Laube +2

    Мақола20013 иқтибос
    ABI

  6. Vacancy defects in silicon carbide

    O. Girka, E. N. Mokhov

    Мақола19953 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа3 иқтибос
    ABI

  8. Dual-Sublattice Modeling and Semi-Atomistic Simulation of Boron Diffusion in 4H-Silicon Carbide

    Kazuhiro Mochizuki, Haruka Shimizu, Natsuki Yokoyama

    Мақола20092 иқтибос
    ABI

  9. Electron paramagnetic resonance of deep boron acceptors in 4H-SiC and 3C-SiC crystals

    P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov

    Мақола19982 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI