О. Химматкулов

5 ta ish

Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti

1. Influence of Deep-Level Impurities on the Strain Electric Properties of Monocrystalline Silicon

   С. З. Зайнабидинов, О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов +1

   MaqolaOAOchiq kirishSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceUkrainian Journal of Physics20174 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.345488

2. Tensostimulated Effect in a Doped and Heat-Treated Silicon at an Oriented Deformation

   О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

   MaqolaOAOchiq kirishAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesPhysics of the Solid State20212 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2021.article.000552

3. Influence of Isotropic Pressure on the Current–Voltage Characteristics of Surface-Barrier Diodes Sb–p-Si〈Mn〉–Au

   С. З. Зайнабидинов, I. G. Tursunov, О. Химматкулов

   MaqolaSemiconductor materials and interfacesSemiconductors20182 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.345490

4. Effect of Uniaxial Elastic Deformation on the Current–Voltage Characteristic of Surface-Barrier Sb–p-Si〈Mn〉–Au Diodes

   О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

   MaqolaSemiconductor materials and interfacesSemiconductors20202 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.345492

5. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au

   О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

   MaqolaOAOchiq kirishSemiconductor materials and interfacesФизика и техника полупроводников20200 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2020.article.002405