Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: On the generation of radiation defects by accelerated ions in silicon

1. Physics of Semiconductor Devices

   Samarth Jain, S. Radhakrishna

   Статья1987Цитирований: 15

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.215225

2. Ion Implantation Science and Technology

   Книга1988Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.651637

3. Carrier transport in a diode base with locally nonuniform recombination properties

   А. В. Иванов, N. B. Strokan, V. B. Shuman

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters1997Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1997.article.000150

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670460

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670461