Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Статья

Capacitance transient spectroscopy of radiation defects on the interface Si-SiO 2 of silcon MIS-structures

Shakhrukh Kh. DalievSharifa B. UtamuradovaKh.S. DalievNational University of Uzbekistan, TAshkent, Uzbekistan
2004en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро