← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 16
Работа: About the Interface Between the Higher Manganese Silicide Film and Si (111)
Quantum Dot Superlattice Thermoelectric Materials and Devices
T. C. Harman, Patrick J. Taylor, Michael Walsh +1
Статья2002Цитирований: 5ABIElectron microscopic investigation of MnSi1.7 layers on Si(001)
Anna Mogilatenko, M. Falke, S. Teichert +3
Статья2002Цитирований: 4ABIStructural observation of Mn silicide islands on Si(111) 7×7 surface with UHV-TEM
Q. Zhang, Masaki Takeguchi, Miyoko Tanaka +1
Статья2002Цитирований: 4ABICrystal structure of the films of highest manganese silicide on silicon
V. V. Klechkovskaya, T. S. Kamilov, S. I. Adasheva +2
Статья1994Цитирований: 3ABIMnSi∼1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
Junling Yang, Nuofu Chen, Zhikai Liu +4
Статья2001Цитирований: 3ABIMorphology of ultrathin manganese silicide on Si(111)
Tadaaki Nagao, Satoru Ohuchi, Yasuyuki Matsuoka +1
Статья1999Цитирований: 2ABI