Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Electrical properties of p-Si1 − x Ge x Au-Based p-i-n structures and Schottky barriers

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. Physics of Semiconductor Devices

    Samarth Jain, S. Radhakrishna

    Статья1987Цитирований: 15
    ABI

  3. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

    A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

    Статья2002Цитирований: 6
    ABI

  4. New semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-x Ge x alloy

    М. С. Саидов, Р. А. Муминов, I. G. Atabaev +2

    Статья1996Цитирований: 4
    ABI

  5. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics

    I. G. Atabaev

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesComputational Materials Science2001Цитирований: 3
    ABI

  6. Photovoltaic Solar Energy Conference

    W. Palz

    Книга1981Цитирований: 2
    ABI

  7. Study of bulk grown silicon–germanium radiation detectors

    A. Ruzin, S. Marunko, Y. Gusakov

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  8. Dark properties and transient current response of Si0.95Ge0.05 n+p devices

    A. Ruzin, S. Marunko, N. V. Abrosimov +1

    Статья2003Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI