Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

12 та иш

Иш: Electrical properties of p-Si1 − x Ge x Au-Based p-i-n structures and Schottky barriers

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Китоб200258 иқтибос
    ABI

  2. Physics of Semiconductor Devices

    Samarth Jain, S. Radhakrishna

    Мақола198715 иқтибос
    ABI

  3. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

    A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

    Мақола20026 иқтибос
    ABI

  4. New semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-x Ge x alloy

    М. С. Саидов, Р. А. Муминов, I. G. Atabaev +2

    Мақола19964 иқтибос
    ABI

  5. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics

    I. G. Atabaev

    МақолаSemiconductor materials and interfacesComputational Materials Science20013 иқтибос
    ABI

  6. Photovoltaic Solar Energy Conference

    W. Palz

    Китоб19812 иқтибос
    ABI

  7. Study of bulk grown silicon–germanium radiation detectors

    A. Ruzin, S. Marunko, Y. Gusakov

    Мақола20042 иқтибос
    ABI

  8. Dark properties and transient current response of Si0.95Ge0.05 n+p devices

    A. Ruzin, S. Marunko, N. V. Abrosimov +1

    Мақола20032 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI