Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Dependence of the surface generation velocity at silicon-(lead borosilicate) glass interface on conditions of nonequilibrium depletion region formation

1. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

2. Physics of Semiconductor Devices

   Geoffrey Pridham

   Статья1970Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390558

3. The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review

   Jaehyeon Kang, D.K. Schroder

   Обзорная статья1985Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527893

4. Electronic density of states at the interface between silicon and lead borosilicate glass

   С. И. Власов, П. Б. Парчинский, B. A. Olmatov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568540

5. Dielectric Breakdown and Device Evaluation of Fritted Glass Compositions

   D. L. Flowers

   Статья1981Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.524816

6. Deep Level Transient Spectroscopy

   Chin‐Che Tin

   Другое2012Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624288

7. Effect of ultrasonic treatment on the generation characteristics of a semiconductor-glass interface

   С. И. Власов, A. V. Ovsyannikov, B. N. Zaveryukhin

   СтатьяEngineering Technology and MethodologiesTechnical Physics Letters2009Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2009.article.000197

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624289

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624290