Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 23

Работа: Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)

  1. Growth of (InSb)1 − x (Sn2) x films on GaAs substrates by liquid-phase epitaxy

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2010Цитирований: 9
    ABI

  2. Physics of Semiconductor Devices

    J.R. ABRAHAMS, Geoffrey Pridham

    Глава1966Цитирований: 8
    ABI

  3. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)<sub>1−<i>x</i></sub>(ZnSe)<sub><i>x</i></sub> with Nanocrystals

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

    СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering2019Цитирований: 8
    ABI

  4. MBE growth of GaP on a Si substrate

    M. S. Sobolev, А. А. Лазаренко, E. V. Nikitina +3

    Статья2015Цитирований: 4
    ABI

  5. Liquid-phase epitaxy of the (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y substitutional solid solution (0 ≤ x ≤ 0.91, 0 ≤ y ≤ 0.94) and their electrophysical properties

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, М. С. Саидов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2015Цитирований: 3
    ABI

  6. Thermodynamics and kinetics of diffusion in solids

    Б. С. Бокштейн, S. Z. Bokshteĭn, A.A. Zhukhovitskii

    Книга1985Цитирований: 2
    ABI

  7. GaP-nucleation on exact Si (001) substrates for III/V device integration

    Kerstin Volz, Andreas Beyer, Wiebke Witte +4

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  8. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, М. А. Putyato +5

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  9. Structural and Spectroscopic Studies of Epitaxial GaAs Layers Grown on Compliant Substrates Based on a Superstructure Layer and Protoporous Silicon

    П. В. Середин, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov +5

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Multicomponent Solid Solutions (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y

    А. С. Саидов, Usmonov Sn. N., U. Kh. Rakhmonov +2

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Materials Science Research2012Цитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI